消息称三星电子确认平泽 P4 工厂 1c nm DRAM 内存产线投资,目标明年 6 月投运

消息称三星电子确认平泽 P4 工厂 1c nm DRAM 内存产线投资,目标明年 6 月投运

IT之家 8 月 12 日消息,韩媒 ETNews 报道称,三星电子内部已确认在平泽 P4 工厂建设 1c nm DRAM 内存产线的投资计划,该产线目标明年 6 月投入运营。 平泽 P4 是一座综合性半导体生产中心,分为四期。在早前规划中,一期为 NAND 闪存,二期为逻辑代工,三期、四期为 DRAM 内存。三星已在 P4 一期导入 DRAM 生产设备,但搁置了二期建设。 而 1c...
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