技术突破！SK海力士首发第六代10纳米DRAM芯片
财联社8月29日讯（编辑 周子意）全球第二大存储芯片制造商SK海力士周四（8月29日）表示，已开发出业界首款第六代10纳米级动态随机存取存储器（DRAM）芯片，该芯片的功耗比旧型号更低、能效则更高。
SK海力士在一份声明中表示，这款DRAM芯片名为1c 16Gb DDR5，其中的1c代表了SK海力士的第六代10纳米工艺。
据介绍，此次1c 16Gb DDR5芯片将主要用于高性能数据中心...
消息称三星电子确认平泽 P4 工厂 1c nm DRAM 内存产线投资，目标明年 6 月投运
IT之家 8 月 12 日消息，韩媒 ETNews 报道称，三星电子内部已确认在平泽 P4 工厂建设 1c nm DRAM 内存产线的投资计划，该产线目标明年 6 月投入运营。
平泽 P4 是一座综合性半导体生产中心，分为四期。在早前规划中，一期为 NAND 闪存，二期为逻辑代工，三期、四期为 DRAM 内存。三星已在 P4 一期导入 DRAM 生产设备，但搁置了二期建设。
而 1c...